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这两天关于美国加强对我国的半导体制裁的新闻又引起了关注，简单的说制裁扩大到了包括合肥长鑫和长江存储这样的存储厂（18nm及其以下的DRAM，128层及其以上的闪存）。10月7日，美国商务部产业安全局(BIS)网站新闻稿显示，美国政府要求设备供应商包括应材(AppliedMaterials)、科林研发(LamResearch)、科磊(KLA)等美系半导体生产设备厂家，在向中国本土业者出货16/14纳米(含)以下FinFET和GAAFET制程逻辑芯片设备，以及18纳米(含)以下DRAM与128层(含)NAND或更高层数的存储芯片制造设备之前，必须取得美国商务部许可执照。此举不仅将影响已经在量产14纳米FinFET制程芯片的中芯国际，也将影响长江存储现有128层NAND量产出货，以及长鑫存储计划从2023年起，从19纳米直攻17纳米DRAM放量出货的原订计划。BIS出口管制设备禁令从公布日10月7日起生效施行。韩系存储公司中国工厂设备取得豁免于美方出口管制禁令后，以现阶段仍以量产15纳米制程DRAM为主的SK海力士无锡厂，以及三星西安目前重点量产的128层V-NAND，均可望延续量产存储芯片、供应中国市场所需，不至于蒙受设备断供、产线中断的风险；相较于长江存储、长鑫存储，韩系工厂的待遇要好一些，而且韩媒先前也传出美方豁免韩厂的报导。另外还有一条也备受关注，那就是美国国籍的人员，需要获得……
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